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SiGeBiCMOS3相关论文
一种SiGe BiCMOS 3级级联60GHz LNA
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60GHz低噪声放大器。级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电......
期刊
低噪声放大器
噪声系数
SiGe BiCMOS 3
60GHz
GHz LNA
级间匹配
寄生电容
寄生效应
供电电压
功率增益
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